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(CercleFinance.com) - STMicroelectronics annonce le début d'une collaboration en R&D avec l'Institut de Microélectronique (IME) singapourien dans le carbure de silicium (SiC) pour les applications d'électronique de puissance destinées aux marchés de l'automobile et de l'industriel.
Ils ont pour objectif de développer et d'optimiser des composants intégrés en SiC et des modules de puissance afin d'accroître de manière significative les performances des circuits d'électronique de puissance de nouvelle génération.
Cette collaboration pose les fondations d'un écosystème complet dédié à la technologie SiC à Singapour, et crée des opportunités pour d'autres entreprises souhaitant entreprendre des activités de recherche sur le SiC avec l'IME et ST.
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