(CercleFinance.com) - Stmicroelectronics présente une nouvelle génération de technologie d'alimentation en carbure de silicium adaptée aux onduleurs de traction de nouvelle génération pour véhicules électriques.
Le groupe présente sa technologie MOSFET en carbure de silicium (SiC) STPOWER de quatrième génération. Cette technologie de quatrième génération constitue une nouvelle référence en matière d'efficacité énergétique, de densité de puissance et de robustesse.
Cette nouvelle technologie est particulièrement optimisée pour les onduleurs de traction, composant clé des groupes motopropulseurs des véhicules électriques.
' STMicroelectronics s'engage à faire avancer la mobilité électrique et l'efficacité industrielle grâce à sa technologie de pointe en carbure de silicium. Nous continuons à faire progresser la technologie MOSFET SiC avec des innovations dans les composants, les boîtiers avancés et les modules de puissance ', a déclaré Marco Cassis, président du groupe Analog, Power & Discrete, MEMS and Sensors.
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