STMicroelectronics: coopère avec le CEA pour le 'GaN-on-Si'
Actualité publiée le 24/09/18 15:36
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(CercleFinance.com) - STMicroelectronics et le CEA (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives) annoncent ce jour leur coopération en vue d'industrialiser des technologies 'nitrure de gallium sur silicium' ('GaN-on-Si') dédiées aux circuits de commutation de puissance.
'Cette technologie GaN-on-Si de puissance permettra à ST de répondre aux exigences d'applications à haut rendement et de forte puissance, telles que les chargeurs embarqués pour véhicules hybrides et électriques, les chargeurs sans fil et serveurs', explique STMicroelectronics dans un communiqué.
Cette collaboration se concentre sur le développement et la qualification d'architectures avancées de diodes et transistors de puissance en nitrure de gallium sur silicium sur des plaquettes de 200 mm. Le cabinet d'études IHS Markit estime en effet que ce marché devrait croître à un taux de croissance annuel composé de plus de 20 % de 2019 à 2024, selon des données communiquées par STMicroelectronics. La validation des échantillons d'ingénierie est espérée pour 2019.
'Parallèlement, ST mettra en place une ligne de fabrication entièrement qualifiée, incluant l'hétéro-hépitaxie nitrure de gallium sur silicium, en vue d'un premier déploiement de production industrielle sur le site de fabrication front-end dont dispose ST à Tours d'ici 2020. De plus, (...) le CEA et ST évaluent actuellement des techniques avancées permettant d'améliorer les possibilités de conditionnement pour l'assemblage de modules à haute densité de puissance', indique STMicroelectronics.
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'Cette technologie GaN-on-Si de puissance permettra à ST de répondre aux exigences d'applications à haut rendement et de forte puissance, telles que les chargeurs embarqués pour véhicules hybrides et électriques, les chargeurs sans fil et serveurs', explique STMicroelectronics dans un communiqué.
Cette collaboration se concentre sur le développement et la qualification d'architectures avancées de diodes et transistors de puissance en nitrure de gallium sur silicium sur des plaquettes de 200 mm. Le cabinet d'études IHS Markit estime en effet que ce marché devrait croître à un taux de croissance annuel composé de plus de 20 % de 2019 à 2024, selon des données communiquées par STMicroelectronics. La validation des échantillons d'ingénierie est espérée pour 2019.
'Parallèlement, ST mettra en place une ligne de fabrication entièrement qualifiée, incluant l'hétéro-hépitaxie nitrure de gallium sur silicium, en vue d'un premier déploiement de production industrielle sur le site de fabrication front-end dont dispose ST à Tours d'ici 2020. De plus, (...) le CEA et ST évaluent actuellement des techniques avancées permettant d'améliorer les possibilités de conditionnement pour l'assemblage de modules à haute densité de puissance', indique STMicroelectronics.
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