STMicroelectronics: lance une technologie avec Soitec et CMP
Actualité publiée le 18/10/12 15:48
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(CercleFinance.com) - STMicroelectronics, Soitec et CMP (Circuits Multi-Projets) annoncent que la technologie CMOS totalement déplétée sur silicium sur isolant (FD-SOI) en 28 nm de STMicroelectronics, qui utilise des substrats silicium innovants développés par Soitec, est à présent mise à la disposition des universités, des laboratoires de recherche et des entreprises de conception aux fins de prototypage par le biais des services de courtage de CMP.
Les trois parties visent à aider les universités, les laboratoires de recherche et les entreprises à réaliser des prototypes de systèmes sur puce de nouvelle génération.
L'introduction de la technologie CMOS FD-SOI en 28 nm de ST dans le catalogue de CMP capitalise sur la collaboration qui a permis à des universités et des entreprises de conception d'accéder aux générations précédentes de la technologie CMOS, parmi lesquelles celles en géométries de 45 nm (introduction en 2008), 65 nm (2006), 90 nm (2004) et 130 nm (2003).
Les clients de CMP peuvent également accéder à la technologie SOI (Silicium sur Isolant) en géométries de 65 et 130 nm, ainsi qu'à la technologie SiGe (Silicium Germanium) en 130 nm de STMicroelectronics.
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Les trois parties visent à aider les universités, les laboratoires de recherche et les entreprises à réaliser des prototypes de systèmes sur puce de nouvelle génération.
L'introduction de la technologie CMOS FD-SOI en 28 nm de ST dans le catalogue de CMP capitalise sur la collaboration qui a permis à des universités et des entreprises de conception d'accéder aux générations précédentes de la technologie CMOS, parmi lesquelles celles en géométries de 45 nm (introduction en 2008), 65 nm (2006), 90 nm (2004) et 130 nm (2003).
Les clients de CMP peuvent également accéder à la technologie SOI (Silicium sur Isolant) en géométries de 65 et 130 nm, ainsi qu'à la technologie SiGe (Silicium Germanium) en 130 nm de STMicroelectronics.
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