STMicroelectronics: nouveaux composants de puissance.
Actualité publiée le 12/03/14 15:54
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(CercleFinance.com) - STMicroelectronics annonce une nouvelle famille de produits avancés qui permet aux concepteurs d'alimentations d'augmenter l'efficacité énergétique d'applications tels que les onduleurs solaires, les véhicules électriques, l'informatique d'entreprise et les circuits de commande de moteurs industriels.
ST compte parmi les premières entreprises à produire ce type de composant, un MOSFET de puissance en carbure de silicium (SiC) en tensions élevées, et a atteint la tenue en température la plus élevée de l'industrie, à savoir 200°C.
Les propriétés du carbure de silicium permettent d'économiser au moins 50% de l'énergie habituellement perdue en traversant les transistors de puissance classiques en silicium.
Ces appareils peuvent également être physiquement plus compacts et afficher une tension de claquage élevée.
Cette technologie est considérée comme essentielle dans l'amélioration continue du rendement énergétique, de la miniaturisation et du coût des systèmes.
Copyright © 2014 CercleFinance.com. Tous droits réservés.
ST compte parmi les premières entreprises à produire ce type de composant, un MOSFET de puissance en carbure de silicium (SiC) en tensions élevées, et a atteint la tenue en température la plus élevée de l'industrie, à savoir 200°C.
Les propriétés du carbure de silicium permettent d'économiser au moins 50% de l'énergie habituellement perdue en traversant les transistors de puissance classiques en silicium.
Ces appareils peuvent également être physiquement plus compacts et afficher une tension de claquage élevée.
Cette technologie est considérée comme essentielle dans l'amélioration continue du rendement énergétique, de la miniaturisation et du coût des systèmes.
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