Soitec: signature d'un accord avec GT Advanced Technologies.
Actualité publiée le 25/02/13 08:23
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(CercleFinance.com) - GT Advanced Technologies et Soitec annoncent la signature d'un accord de développement et de licence. Cet accord permettra à GT Advanced Technologies de développer et commercialiser un équipement d'épitaxie en phase vapeur à base d'hydrures de Gallium (HVPE).
'Cet équipement permettra de produire des couches épitaxiées en nitrure de gallium (GaN) sur des substrats de saphir qui seront utilisées dans la fabrication des diodes électroluminescentes (LED) et dans d'autres applications industrielles en plein essor' indique le groupe.
' Nous travaillons depuis plus de six ans sur les technologies d'épitaxie de couches de nitrure de gallium et nous avons créé cette technologie révolutionnaire d'HVPE qui va être essentielle dans la production de couches de GaN à moindre coût et de haute qualité sur des substrats de saphir ', a déclaré Chantal Arena, directrice générale de Soitec Phoenix Labs.
Le prépaiement initial des droits de licence prévus par l'accord est déjà en cours, mais les autres conditions particulières à cet accord n'ont pas été dévoilées.
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'Cet équipement permettra de produire des couches épitaxiées en nitrure de gallium (GaN) sur des substrats de saphir qui seront utilisées dans la fabrication des diodes électroluminescentes (LED) et dans d'autres applications industrielles en plein essor' indique le groupe.
' Nous travaillons depuis plus de six ans sur les technologies d'épitaxie de couches de nitrure de gallium et nous avons créé cette technologie révolutionnaire d'HVPE qui va être essentielle dans la production de couches de GaN à moindre coût et de haute qualité sur des substrats de saphir ', a déclaré Chantal Arena, directrice générale de Soitec Phoenix Labs.
Le prépaiement initial des droits de licence prévus par l'accord est déjà en cours, mais les autres conditions particulières à cet accord n'ont pas été dévoilées.
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