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(CercleFinance.com) - L'Institut de Microélectronique, une entité de l'Agence pour la science, la technologie et la recherche (A*STAR), et Soitec ont annoncé un partenariat de recherche pour développer la prochaine génération de dispositifs semi-conducteurs en carbure de silicium (SiC).
Le Sic est destiné à alimenter les véhicules électriques et les appareils électroniques à haute tension avancés.
Les partenaires s'appuieront sur les technologies brevetées de Soitec telle que Smart Cut TM et sur la ligne de production pilote de l'IME pour fabriquer des substrats SiC de 200 mm de diamètre.
Cette collaboration en matière de recherche est prévue jusqu'à mi-2024.
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