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Merci , c'est beaucoup plus accessible ainsi formulé
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Mille excuses, c'est effectivement trop succinct ...
En fait, les produits Soitec sur SOI ont toujours été positionnés stratégiquement comme :
- moins puissants que leurs concurrents en raison d'une gravure plus large (Le SOI vient en 28, 22, 12 nm alors que le FinFET vient en 12, 10, 7, 5, 3 nm.)
- mais plus économes par Watt consommé, notamment avec la capacité à "s'éteindre" entre les périodes de "burst" d'utilisation.
Et puis, depuis ces dernières années, tous les produits électroniques sont devenus tellement puissants, quoi qu'il arrive, que la puissance n'est plus au final, un critère discriminant, même plus déterminant. La puissance est tout simplement aussi pléthorique que le stockage.
Seules comptent (vraiment) aujourd'hui :
- Le débit permis dans les fonctions de transmission analogiques (RF-Soi) et numériques (FD-Soi et Power-Soi).
- La sobriété (et donc la durabilité) sur les dispositifs disconnectés (capteurs et mesures diverses).
Et sur ces 2 points durs, le SOI a l'avantage, surtout si l'on ajoute leur caractère plus rustique, en raison d'une gravure mieux maitrisée ("Yield" excellent avec le recul).
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peut-être qu'une petite vulgarisation sommaire s'impose pour la plupart d'entre nous, notamment sur les conséquences de la découverte...merci
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Un article très intéressant de ZD-Net sur Intel. Où l'on découvre que la puissance intrinsèque d'une CPU (fonction inverse de la taille de gravure) est devenue un critère secondaire, au profit de la puissance par Watt consommé :
"The other factor in Intel's favour is, outside of performance per watt, raw performance numbers are not as crucial as they used to be."
Quel retournement de valeurs ...
Message complété le 28/07/2020 09:59:36 par son auteur.
Oups sorry, j'ai oublié le lien :
https://www.zdnet.com/article/after-spinning-wheels-with-10nm-intel-did-not-need-its-new-7nm-delay/
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Forum de discussion Soitec Silicon
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