Accord St et Soi

Ouverture de file et parlotte à lui même

C' est un MALADE

« L’industrie automobile traverse une phase de rupture majeure avec l’avènement des véhicules électriques. Notre technologie de pointe SmartSiC™ , qui adapte notre technologie unique SmartCut™ aux circuits intégrés en carbure de silicium, jouera un rôle clé dans l’accélération de leur adoption », a déclaré Bernard Aspar, Directeur Général Adjoint de Soitec. « L’association des substrats SmartSiC™ de Soitec à la technologie de pointe et à l’expertise acquise par STMicroelectronics dans le domaine des composants en carbure de silicium révolutionne la fabrication des circuits intégrés pour applications automobiles en établissant de nouveaux standards. »

Le carbure de silicium (SiC) est un composé semiconducteur de rupture dont les propriétés intrinsèques assurent des performances et un rendement plus élevés que le silicium dans les applications de puissance clés à forte croissance, telles que l’électromobilité et les processus industriels. Cette technologie permet de convertir l’énergie avec une plus grande efficacité, de réaliser des designs plus légers et plus compacts, ainsi que de réduire le coût global de conception des systèmes — autant de paramètres et de facteurs décisifs pour le succès des systèmes automobiles et industriels. La transition des plaquettes de 150 mm à 200 mm va permettre d’augmenter la capacité de production de façon significative avec une surface utile pour la fabrication de circuits intégrés près de deux fois plus élevée et, par conséquent, de produire de 1,8 à 1,9 fois plus de puces par plaquette.

SmartSiC™ est une technologie propriétaire de Soitec qui utilise la technologie propriétaire SmartCut™ de Soitec visant à découper une couche ultra-mince dans une tranche en SiC « donneuse » de haute qualité en vue de la transférer sur une tranche en carbure de silicium polycristallin (polySiC) de faible résistivité. Le substrat ainsi obtenu améliore les performances du substrat et les rendements de production. La tranche SiC « donneuse » de haute qualité peut être réutilisée plusieurs fois, ce qui réduit de façon significative la consommation d’énergie globale que requiert sa production.